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NP50P06KDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
30
V GS = ? 4.5 V
1000
C oss
20
10
0
? 10 V
I D = ? 25 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
-60
-12
100
10
t d(of f )
t f
t d(on)
t r
-50
-40
-30
-20
V DD = ? 48 V
? 30 V
? 12 V
V GS
-10
-8
-6
-4
V DD = ? 30 V
1
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
-10
0
V DS
I D = ? 50 A
-2
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
80
100
-100
-10
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = ? 10 V
0V
100
-1
10
-0.1
-0.01
Pulsed
1
di/dt = ? 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18689EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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